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Détails sur le produit:
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| Hystérésis de pression (0 à kPa 10): | ±0.1 — %VFSS | Hystérésis de la température: | ±0.5 — %VFSS |
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| Coefficient de température d'envergure complète: | TCVFSS – 0,22 — – 0.16 % VFSS/°C | Coefficient de température de compensation: | TCVOFF — ±15 — μV/°C |
| Coefficient de température de résistance: | TCR 0,21 — 0.27 % ZIN/°C | Impédance d'entrée: | ZIN 400 — 550 Ω |
| Impédance de sortie: | ZOUT 750 — 1250 Ω | ||
| Mettre en évidence: | Capteurs de pression au silicium MPX10DP,Appareils médicaux Capteurs de pression au silicium |
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Description de produit :
Le type capteurs de MPX10DP 0-10 Kpa (0-1.45PSi) Ion Injection X de pression de silicium sont employés dans des dispositifs médicaux
Caractéristiques :
Les capteurs piézorésistifs de pression de silicium de la série MPX10 fournissent un même
sortie précise et linéaire de tension, directement proportionnelle au appliqué
pression. Ces standard, coût bas, les capteurs incompensés laissent
fabricants pour concevoir et ajouter leur propre température externe
réseaux de traitement de compensation et de signal. Techniques de compensation
sont simplifiés en raison de la prévisibilité de l'élément simple de Freescale
conception de jauge de contrainte.
• Coût bas
• Conception brevetée de mesure de contrainte-tension de cisaillement de silicium
• Quotientométrique à la tension d'alimentation
• Options de différentiel et de mesure
• Élément époxyde durable d'Unibody ou (PPS) bâti extérieur thermoplastique
Paquet
Caractéristiques :
| Chaîne de différence de pression (1) | POP 0 — kPa 10 |
| Tension d'alimentation (2) | CONTRE — 3,0 6,0 VOLTS CONTINU |
| Approvisionnement actuel | E/S — 6,0 — mAdc |
| Envergure complète (3) | VFSS 20 35 50 système mv |
| Compensez (4) | VOFF 0 20 35 système mv |
| Sensibilité | — 3,5 — mV/kPa |
| Linéarités | – 1,0 — 1.0 % VFSS |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255
