Détails sur le produit:
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Longueur d'onde maximale de sensibilité (valeur typique): | 960 nanomètre | Sensibilité (valeur typique): | 0,6 A/W |
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Courant d'obscurité (maximum): | PA 30 | Temps de montée (valeur typique.): | 5,5 u s |
Capacité de jonction (valeur typique): | 2300 PF | ||
Mettre en évidence: | S2386-45k,Linéarités élevées de photodiode de silicium |
La description de produit :
La photodiode de silicium de S2386-45k convient à évident pour s'approcher de la bande infrarouge, détermination photométrique universelle
Caractéristiques :
Approprié à la lumière visible pour s'approcher de la bande infrarouge, détermination photométrique générale
Caractéristiques du produit
Sensibilité élevée dans évident pour s'approcher des bandes infrarouges
Bas courant d'obscurité
Fiabilité élevée
Linéarités élevées
Caractéristiques :
Zone sensible | 3,9 × 4.6mm |
Nombre de pixels | 1 |
Réfrigération et | Non - refroidi |
Encapsulé | Métal |
Type d'encapsulation | TO-5 |
Tension inverse (maximum) | 30V |
La gamme de réponse spectrale est | 320 à 1100 nanomètre |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255