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Aperçu ProduitsCapteur photoélectrique infrarouge

S8745-01 Photodiode au silicium avec préamplificateur à faible bruit

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S8745-01 Photodiode au silicium avec préamplificateur à faible bruit

S8745-01 Photodiode au silicium avec préamplificateur à faible bruit
S8745-01 Photodiode au silicium avec préamplificateur à faible bruit

Image Grand :  S8745-01 Photodiode au silicium avec préamplificateur à faible bruit

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Le Japon
Nom de marque: Hamamatsu
Numéro de modèle: S8745-01
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: Négociable
Détails d'emballage: Dans une boîte
Délai de livraison: jours 3-5work
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 2000 pièces/mois

S8745-01 Photodiode au silicium avec préamplificateur à faible bruit

description de
la zone photographique est: × 2,4 2,4 millimètres Réfrigération et: Non refroidi
Encapsulé: Métal Matériel: autres produits
Mettre en évidence:

Capteur S8745-01 photoélectrique infrarouge

,

Silicium photoélectrique infrarouge de capteur

,

Photodiode d'avalanche de silicium

Description du produit:

S8745-01 Photodiode au silicium avec préamplificateur à faible bruit

 

Caractéristiques:

Photodiodes préamplificatrices avec résistances et condensateurs de rétroaction intégrés

Le S8745-01 est un capteur à faible bruit composé de photodiodes, d'amplificateurs opérationnels, de résistances de rétroaction et de condensateurs, tous emballés dans un très petit emballage.Lorsqu'il est connecté à une source d'alimentation, il peut être utilisé pour des mesures de faible luminosité, telles que des appareils d'analyse ou des appareils de mesure.Sa surface sensible à la lumière est reliée à l'extrémité GND et présente une haute résistance au bruit EMC.

Caractéristiques du produit

● Convient pour la détermination photométrique précise des rayons ultraviolets et du proche infrarouge

● Petit paquet métallique avec fenêtre en quartz: TO-5

● Zone sensible à la lumière:2.4×2,4 mm

● Rf = 1 G intégréω Cf=5 pF

● Amplificateur d'entrée FET à faible puissance

Faible bruit, faible NEP

● Résistance externe pour obtenir un gain variable

● Package avec fonction de blindage

● Résistance au bruit EMC

 

Les spécifications:

Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. 20 V
la plage de réponse spectrale est 190 à 1100 nm
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 960 nm
Puissance équivalente bruit (valeur typique) 11 × 10-15 W/hz1/2
Conditions de mesure Typ. Ta=25 °C, F=10 Hz, λ=λp, sauf indication contraire

S8745-01 Photodiode au silicium avec préamplificateur à faible bruit 0

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Xu

Téléphone: 86+13352990255

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