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Détails sur le produit:
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| Matériau de la fenêtre: | Pottes en résine | Paquet (mm): | 8,9*10,1 |
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| Taille de la zone photosensible: | 5,8*5,8 | Zone photosensible efficace (mm2): | 33 |
| Mettre en évidence: | S2387-66R,Capteur photoélectrique d'IR,Capteur de flamme d'UVTRON |
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Description du produit:
Photodiode de silicium de S2387-66R pour le faible courant d'obscurité visible à IR pour l'équipement analytique
Caractéristiques:
Photodiode PIN en silicium haute vitesse de grande surface
Le S2387-66R possède une grande zone photosensible, mais possède une excellente réponse en fréquence à 40 MHz. Cette diode convient au FSO (free space Optics) et à la détection de lumière pulsée à grande vitesse.
Caractéristiques du produit
Zone photosensible : φ5,0 mm
Fréquence de coupure : 40 MHz (VR=24 V)
Haute fiabilité : boîtier métallique TO-8
Conditions de mesure Ta=25 ℃, Typ., Photosensibilité : λ=780 nm, Courant d'obscurité : VR=24 V, Fréquence de coupure : VR=24 V, Capacité terminale : VR=24 V, F =1 MHz, λ=λp, Puissance équivalente au bruit : VR=24 V, λ=λp, sauf indication contraire.
Caractéristiques:
| Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) | 920 nm |
| Sensibilité (valeur typique) | 0,58 A/E |
| Courant d'obscurité (maximum) | 4300pA |
| Temps de montée (valeur typique) | 18 minutes |
| Capacité de jonction (valeur typique) |
40 pF
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Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255