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Demande de soumission |
Aperçu ProduitsCapteur photoélectrique infrarouge

S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm

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S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm

S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm
S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm

Image Grand :  S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Le Japon
Nom de marque: Hamamatsu
Numéro de modèle: S12053-02
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: Négociable
Détails d'emballage: Le sac
Délai de livraison: jours 3-5work
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 1000 pièces par mois
Contact

S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm

description de
Type de longueur d'onde courte: (opération de faible biais) Secteur photosensible: φ0,2 mm
Encapsulé: Métal le type d'encapsulation est: TO-18
la longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) était: 620 nanomètre la plage de réponse spectrale est: 200 à 1000 nm
Mettre en évidence:

Diode de photo du silicium S12053-02

,

Diode de photo de silicium à faible bruit

,

Photodiode d'avalanche d'APD

Description du produit:

S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm

Caractéristiques:

APD de type ondes courtes

Il a une sensibilité élevée et un faible bruit dans la bande ultraviolette à visible

Coefficient de température de la tension de rupture (valeur typique) 0,14 V/°C

Gain (valeur typique) 50

Condition d'essai Typ.TA =25°C, Sauf indication contraire, Photosensibilité: λ=620 nm, M=1

Les spécifications:

La sensibilité (valeur typique) a été 0.42 A/W
Courant sombre (maximum) 5 nA
Fréquence de coupe (valeur typique) 900 MHz
Capacité de jonction (valeur typique) 2 pF
Voltage de rupture (valeur typique) Pour les appareils électriques

S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm 0

S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm 1

Produit Tag:

Capteur R9533 photoélectrique infrarouge,

Capteur de couleur de RVB,

Capteur de flamme d'UVTRON

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Xu

Téléphone: 86+13352990255

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