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Détails sur le produit:
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| Chip Size: | 1 mm2 | encapsulation: | TO46 |
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| Matériel: | Fenêtre de saphir, sensibilité élevée, bas courant d'obscurité | Longueur d'onde de réponse: | 290-440 nanomètre |
| Application typique: | Surveillance de traitement UV | ||
| Mettre en évidence: | Module UV-C de capteur de GaN,Traitement UV de module UV-C de capteur,Photodiode de SIC |
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Description de produit :
Le capteur UV de GT-UVV-LW GaN est utilisé pour la détection de surveillance de UV-traitement de polluants de gaz
Caractéristiques :
Caractéristiques générales : l nitrure de gallium d'indium la matière première
l opération photovoltaïque de mode
l logement en métal de TO-46
l responsivity de haut et bas courant d'obscurité
Applications : Surveillance UV de LED, mesure UV de dose de rayonnement, traitement UV
Estimations maximum d'unité de valeur de symbole de paramètres
Température ambiante d'opération Topt -25-85 OC
Température ambiante de température de stockage Tsto -40-85 OC
La température de soudure (3 s) Tsol 260 OC
Tension inverse -10 V Vr-maximum
Courant mm2 d'obscurité général de la taille A 1 de puce des caractéristiques (25 OC) (Vr = V) identification -1
<1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0="">
Caractéristiques :
| Caractéristiques | Paramètres |
| Longueur d'onde maximale | 390nm |
| Sensibilité légère | 0.289A/W |
| Gamme de réponse spectrale (R=0.1×Rmax) | - 290-440 nanomètre |
| rapport de rejet UV-évident (Rmax/R400 nanomètre) | - >10 |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255
