Détails sur le produit:
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taille de puce: | 1 mm2 | Le paquet: | SMD 3535 |
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Caractéristiques: | Fenêtre en quartz très transparent, haute sensibilité, faible courant sombre | Longueur d'onde de réponse: | 290 à 440 nm |
Mettre en évidence: | capteur UV basé sur InGaN de photodiode,Traitement UV de capteur de photodiode,Détecteur UV de photodiode |
Description du produit:
Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement
Caractéristiques:
Caractéristiques générales:
Matériau à base de nitrure d'indium et de gallium
L Opération en mode photovoltaïque
L'emballage en céramique SMD 3535 avec fenêtre en quartz
L Haute réactivité et faible courant sombre
Applications: surveillance par LED UV, mesure des doses de rayonnement UV, durcissement par UV
Paramètres Valeur du symbole Unité
Plage de température de fonctionnement Topt -25 à 85 oC
Plage de température de stockage Tto -40-85 oC
Température de soudure (3 s) Tsol 260 oC
Voltage inverse Vr-max -10 V
Caractéristiques générales (25 oC) Taille de la puce A 1 mm2 Courant sombre (Vr = -1 V) Id <1 nA Coefficient de température Tc 0,05 %/ oC Capacitation (à 0 V et 1 MHz) Cp 60 pF> <1 nA Coefficient de température Tc 0.065 %/ oC Capacité (à 0 V et 1 MHz) Cp 1.7 pF>
< 1 nA Coefficient de température (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Capacité (à 0 V et 1 MHz) Cp 18 p>
Les spécifications:
Longueur d'onde du pic de réactivité | λ p 390 nm |
Réactivité maximale (à 385 nm) | Rmax 0,289 A/W |
La fréquence de réponse spectrale (R=0,1 × Rmax) | 290 à 440 nm |
Ratio de rejet UV visible (Rmax/R450 nm) | - > 10 - |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255