Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement

Description du produit:

Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement

Caractéristiques:

Caractéristiques générales:

Matériau à base de nitrure d'indium et de gallium

L Opération en mode photovoltaïque

L'emballage en céramique SMD 3535 avec fenêtre en quartz

L Haute réactivité et faible courant sombre

Applications: surveillance par LED UV, mesure des doses de rayonnement UV, durcissement par UV

Paramètres Valeur du symbole Unité

Plage de température de fonctionnement Topt -25 à 85 oC

Plage de température de stockage Tto -40-85 oC

Température de soudure (3 s) Tsol 260 oC

Voltage inverse Vr-max -10 V

Caractéristiques générales (25 oC) Taille de la puce A 1 mm2 Courant sombre (Vr = -1 V) Id <1 nA Coefficient de température Tc 0,05 %/ oC Capacitation (à 0 V et 1 MHz) Cp 60 pF> <1 nA Coefficient de température Tc 0.065 %/ oC Capacité (à 0 V et 1 MHz) Cp 1.7 pF>

< 1 nA Coefficient de température (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Capacité (à 0 V et 1 MHz) Cp 18 p>

Les spécifications: