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Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement

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Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement

Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement
Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement

Image Grand :  Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Uv
Numéro de modèle: GS-UVV-3535LCW
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: Négociable
Détails d'emballage: Tresse
Délai de livraison: jours 3-5work
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 2000 pièces/mois

Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement

description de
taille de puce: 1 mm2 Le paquet: SMD 3535
Caractéristiques: Fenêtre en quartz très transparent, haute sensibilité, faible courant sombre Longueur d'onde de réponse: 290 à 440 nm
Mettre en évidence:

capteur UV basé sur InGaN de photodiode

,

Traitement UV de capteur de photodiode

,

Détecteur UV de photodiode

Description du produit:

Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement

 

Caractéristiques:

Caractéristiques générales:

Matériau à base de nitrure d'indium et de gallium

L Opération en mode photovoltaïque

L'emballage en céramique SMD 3535 avec fenêtre en quartz

L Haute réactivité et faible courant sombre

Applications: surveillance par LED UV, mesure des doses de rayonnement UV, durcissement par UV

Paramètres Valeur du symbole Unité

Plage de température de fonctionnement Topt -25 à 85 oC

Plage de température de stockage Tto -40-85 oC

Température de soudure (3 s) Tsol 260 oC

Voltage inverse Vr-max -10 V

Caractéristiques générales (25 oC) Taille de la puce A 1 mm2 Courant sombre (Vr = -1 V) Id <1 nA Coefficient de température Tc 0,05 %/ oC Capacitation (à 0 V et 1 MHz) Cp 60 pF> <1 nA Coefficient de température Tc 0.065 %/ oC Capacité (à 0 V et 1 MHz) Cp 1.7 pF>

< 1 nA Coefficient de température (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Capacité (à 0 V et 1 MHz) Cp 18 p>

 

Les spécifications:

Longueur d'onde du pic de réactivité λ p 390 nm
Réactivité maximale (à 385 nm) Rmax 0,289 A/W
La fréquence de réponse spectrale (R=0,1 × Rmax) 290 à 440 nm
Ratio de rejet UV visible (Rmax/R450 nm) - > 10 -

Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement 0

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Xu

Téléphone: 86+13352990255

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