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Détails sur le produit:
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| Chip Size: | 4 mm2 | Paquet: | SMD 5050 |
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| Caractéristiques: | Haute fenêtre de quartz transparent, sensibilité élevée, bas courant d'obscurité | Longueur d'onde de réponse: | 210-370 nanomètre |
| Application typique: | Détection de contaminant de gaz | ||
| Mettre en évidence: | Détection UV de gaz de capteur de photodiode,capteur UV de la photodiode 4mm2,Diode UV de photo |
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Description de produit :
Photodiode UV basée sur GaN de GS-ABC-5050XLQ
Caractéristiques :
l photodiode d'UVA+UVB+UVC
l opération photovoltaïque de mode
l paquet en céramique de SMD 5050 avec la fenêtre de quartz
l bonne cécité évidente
l responsivity de haut et bas courant d'obscurité
Applications : Surveillance UV d'index, mesure UV de dose de rayonnement, caractéristiques de détection de flamme : Estimations maximum d'unité de valeur de symbole de paramètres
Température ambiante d'opération Topt -25-85 OC
Température ambiante de température de stockage Tsto -40-85 OC
La température de soudure (3 s) Tsol 260 OC
Tension inverse -10 V Vr-maximum
Courant mm2 d'obscurité général de la taille A 4 de puce des caractéristiques (25 OC) (Vr = V) identification -1
<1 nA="" Temperature="" coefficient="">
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Caractéristiques :
| Longueur d'onde de responsivisity maximal | λ p 355 nanomètre |
| Responsivisity maximal (à 385 nanomètre) | Rmax 0,20 A/W |
| Gamme de réponse spectrale (R=0.1×Rmax) | 210-370 nanomètre |
| rapport de rejet UV-évident (Rmax/R450 nanomètre) | - >10 - |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255
