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détection UV GS-ABC-5050XLQ de gaz de capteur de la photodiode 4mm2 basée sur GaN

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détection UV GS-ABC-5050XLQ de gaz de capteur de la photodiode 4mm2 basée sur GaN

détection UV GS-ABC-5050XLQ de gaz de capteur de la photodiode 4mm2 basée sur GaN
détection UV GS-ABC-5050XLQ de gaz de capteur de la photodiode 4mm2 basée sur GaN

Image Grand :  détection UV GS-ABC-5050XLQ de gaz de capteur de la photodiode 4mm2 basée sur GaN

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Uv
Numéro de modèle: GS-ABC-5050XLQ
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 5
Détails d'emballage: Tresse
Délai de livraison: jours 3-5work
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 1501/pcs/pre

détection UV GS-ABC-5050XLQ de gaz de capteur de la photodiode 4mm2 basée sur GaN

description de
Chip Size: 4 mm2 Paquet: SMD 5050
Caractéristiques: Haute fenêtre de quartz transparent, sensibilité élevée, bas courant d'obscurité Longueur d'onde de réponse: 210-370 nanomètre
Application typique: Détection de contaminant de gaz
Mettre en évidence:

Détection UV de gaz de capteur de photodiode

,

capteur UV de la photodiode 4mm2

,

Diode UV de photo

Description de produit :

Photodiode UV basée sur GaN de GS-ABC-5050XLQ

Caractéristiques :

l photodiode d'UVA+UVB+UVC

l opération photovoltaïque de mode

l paquet en céramique de SMD 5050 avec la fenêtre de quartz

l bonne cécité évidente

l responsivity de haut et bas courant d'obscurité

Applications : Surveillance UV d'index, mesure UV de dose de rayonnement, caractéristiques de détection de flamme : Estimations maximum d'unité de valeur de symbole de paramètres

Température ambiante d'opération Topt -25-85 OC

Température ambiante de température de stockage Tsto -40-85 OC

La température de soudure (3 s) Tsol 260 OC

Tension inverse -10 V Vr-maximum

Courant mm2 d'obscurité général de la taille A 4 de puce des caractéristiques (25 OC) (Vr = V) identification -1

<1 nA="" Temperature="" coefficient="">

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Caractéristiques :

Longueur d'onde de responsivisity maximal λ p 355 nanomètre
Responsivisity maximal (à 385 nanomètre) Rmax 0,20 A/W
Gamme de réponse spectrale (R=0.1×Rmax) 210-370 nanomètre
rapport de rejet UV-évident (Rmax/R450 nanomètre) - >10 -

détection UV GS-ABC-5050XLQ de gaz de capteur de la photodiode 4mm2 basée sur GaN 0

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Xu

Téléphone: 86+13352990255

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