|
Détails sur le produit:
|
| la zone photographique est: | 5.8 × 5,8 mm | Nombre de pixels: | 1 |
|---|---|---|---|
| Réfrigération et: | Non refroidi | Encapsulé: | Métal |
| le type d'encapsulation est: | TO-8 | Voltage inverse (maximum): | 5V |
| Mettre en évidence: | Capteur photoélectrique infrarouge de S1226-8BQ,Photométrie photoélectrique infrarouge de précision de capteur,Type capteur photoélectrique d'U |
||
Description du produit:
S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR
Caractéristiques:
● Haute sensibilité aux UV: QE = 75% (λ=200 nm)
● Supprimez la sensibilité aux IRN
● Faible courant sombre
● Une grande fiabilité
courant sombre (maximum) de 20 pA
Temps de montée (valeur typique).2 mu s
Capacité de jonction (valeur typique) 1200 pF
Condition de mesure Ta=25°C, type, sauf indication contraire, photosensibilité: λ=720 nm, courant sombre: VR=10 mV, capacité terminale:VR = 0 V, f = 10 kHz
Les spécifications:
| Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. | 5V |
| la plage de réponse spectrale est | 190 à 1000 nm |
| la longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) était | 720 nm |
| Le type | photoélectricité infrarouge |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255
