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Demande de soumission |
Aperçu ProduitsCapteur photoélectrique infrarouge

S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

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S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR
S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

Image Grand :  S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Le Japon
Nom de marque: Hamamatsu
Numéro de modèle: S1226-8BQ
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: Négociable
Détails d'emballage: Dans une boîte
Délai de livraison: jours 3-5work
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 3 000 pièces/pré
Contact

S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

description de
la zone photographique est: 5.8 × 5,8 mm Nombre de pixels: 1
Réfrigération et: Non refroidi Encapsulé: Métal
le type d'encapsulation est: TO-8 Voltage inverse (maximum): 5V
Mettre en évidence:

Capteur photoélectrique infrarouge de S1226-8BQ

,

Photométrie photoélectrique infrarouge de précision de capteur

,

Type capteur photoélectrique d'U

Description du produit:

S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR

Caractéristiques:

● Haute sensibilité aux UV: QE = 75% (λ=200 nm)

● Supprimez la sensibilité aux IRN

● Faible courant sombre

● Une grande fiabilité

courant sombre (maximum) de 20 pA

Temps de montée (valeur typique).2 mu s

Capacité de jonction (valeur typique) 1200 pF

Condition de mesure Ta=25°C, type, sauf indication contraire, photosensibilité: λ=720 nm, courant sombre: VR=10 mV, capacité terminale:VR = 0 V, f = 10 kHz

Les spécifications:

Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. 5V
la plage de réponse spectrale est 190 à 1000 nm
la longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) était 720 nm
Le type photoélectricité infrarouge

S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR 0

S1226-8BQ Photodiode de silicium pour photométrie de précision UV à visible supprimée près de la sensibilité IR 1

Produit Tag:

Capteur R9533 photoélectrique infrarouge,

Capteur de couleur de RVB,

Capteur de flamme d'UVTRON

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Xu

Téléphone: 86+13352990255

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