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Détails sur le produit:
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| la zone photographique est: | × 2,4 2,4 millimètres | Nombre de pixels: | 1 |
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| Réfrigération: | Non refroidi | Encapsulé: | Métal |
| le type d'encapsulation est: | TO-5 | Voltage inverse (maximum): | 30 V |
| Mettre en évidence: | Capteur photoélectrique infrarouge de S2386-5K,Capteur photoélectrique infrarouge 30 V,Capteur de photodiode de silicium |
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Description du produit:
S2386-5K Capteur de photodiode de silicium Capteur photoélectrique infrarouge 30 V Photométrie universelle à usage gébérial
Caractéristiques:
Convient pour la lumière visible à la bande infrarouge proche, détermination photométrique universelle
Caractéristiques du produit
● Haute sensibilité dans les bandes visible et proche infrarouge
● Faible courant sombre
● Une grande fiabilité
● Une grande linéarité
Condition de mesure TYP.TA = 25°C, Sauf indication contraire, Photosensibilité: λ=960 nm, Courant sombre: VR=10 mV, Capacité terminale:VR = 0 V, f = 10 kHz
Les spécifications:
| Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. | 30 V |
| la plage de réponse spectrale est | 320 à 1100 nm |
| Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) | 960 nm |
| Sensitivité (valeur typique) | 0.6 A/W |
| Courant sombre (maximum) | 5 pA |
| Temps de montée (valeur typique). | 1.8 ou s |
| Capacité de jonction (valeur typique) | 730 pF |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255
