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S8746-01 Préamplificateurs de photodiodes à broche de silicium Capteur photoélectrique infrarouge Résistance intégrée

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LA CHINE ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certifications
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S8746-01 Préamplificateurs de photodiodes à broche de silicium Capteur photoélectrique infrarouge Résistance intégrée

S8746-01 Préamplificateurs de photodiodes à broche de silicium Capteur photoélectrique infrarouge Résistance intégrée
S8746-01 Préamplificateurs de photodiodes à broche de silicium Capteur photoélectrique infrarouge Résistance intégrée

Image Grand :  S8746-01 Préamplificateurs de photodiodes à broche de silicium Capteur photoélectrique infrarouge Résistance intégrée

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Le Japon
Nom de marque: Hamamatsu
Numéro de modèle: S8746-01
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Dans une boîte
Délai de livraison: jours 3-5work
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 1000 pièces par mois

S8746-01 Préamplificateurs de photodiodes à broche de silicium Capteur photoélectrique infrarouge Résistance intégrée

description de
la zone photographique est: 5.8 × 5,8 mm Nombre de pixels: 1
Réfrigération et: Non refroidi Encapsulé: Métal
Matériel: autres produits Voltage inverse (maximum): 20 V
Mettre en évidence:

Capteur S8746-01 photoélectrique infrarouge

,

Capteur photoélectrique infrarouge de préamplificateurs

,

Silicium intégré Pin Photodiode de résistance

Description du produit:

S8746-01 Préamplificateurs de photodiodes à broche de silicium Capteur photoélectrique infrarouge Résistance intégrée

Caractéristiques:

Une photodiode avec résistances de rétroaction intégrées et condensateurs pour préamplificateurs

S8746-01 est un capteur à faible bruit composé de photodiodes, d'amplificateurs opérationnels, de résistances de rétroaction et de condensateurs, tous emballés dans un très petit emballage.Lorsqu'il est connecté à une source d'alimentation, il peut être utilisé pour des mesures de faible luminosité, telles que des appareils d'analyse ou des appareils de mesure.Sa surface sensible à la lumière est reliée à l'extrémité GND, de sorte qu'elle peut supprimer le bruit EMC très fort.

Caractéristiques du produit

● Convient pour la détermination photométrique précise des rayons ultraviolets et du proche infrarouge

● Petit paquet métallique avec fenêtre en quartz: TO-8

● Zone sensible à la lumière: 5.8×5,8 mm

● Rf = 1 G intégréω Cf=5 pF

● Amplificateur d'entrée FET à faible puissance

Faible bruit, faible NEP

● Résistance externe pour obtenir un gain variable

● Package avec fonction de blindage

● Résistance au bruit EMC

Les spécifications:

Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. 20 V
la plage de réponse spectrale est 190 à 1100 nm
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 960 nm
Puissance équivalente bruit (valeur typique) 15 x 10- 15 ans.W/Hz- Un demi
Conditions de mesure Typ. Ta=25 °C, F=10 Hz, λ=λp, sauf indication contraire

S8746-01 Préamplificateurs de photodiodes à broche de silicium Capteur photoélectrique infrarouge Résistance intégrée 0

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S8746-01 Préamplificateurs de photodiodes à broche de silicium Capteur photoélectrique infrarouge Résistance intégrée 2

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Xu

Téléphone: 86+13352990255

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