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Détails sur le produit:
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| la réception de la taille extérieure est: | 2,4 × 2.4mm | Secteur photosensible efficace: | 5,7 mm2 |
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| la tension inverse maximum est: | 30 V | Température de fonctionnement: | -20 | ℃ +60 |
| Mettre en évidence: | Capteur de photodiode de silicium de S12915 33R,capteur de photodiode du silicium 30V,Détecteur photoélectrique de silicium de S12915 33R |
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Capteur de photodiode de silicium de S12915 33R pour le photomètre général
Photodiode S12915-33R de silicium pour le photomètre général dans évident à la bande infrarouge
Caractéristiques :
Nouvelle unité traditionnelle de produit de charte
Modèle S12915-33R S2387-33R -
Joint en plastique matériel de mise en pot de fenêtre -
Paquet 6 x 7.6mm
La taille extérieure de réception est 2,4 le × 2.4mm
Secteur photosensible efficace 5,7 mm2
La tension inverse maximum est 30 V
Température de fonctionnement -20 | ℃ +60
Température de stockage -20 | ℃ +80
Les gammes de longueurs d'onde de sensibilité de 340 nanomètre à 1100 nanomètre
La longueur d'onde maximum de sensibilité est 960 nanomètre
La sensibilité typique est 0,64 0.58A /W
Le courant typique de court-circuit est le μA 5,7 5,8
Le courant d'obscurité maximum est la PA 5
Coefficient de température d'identification 1,12 fois/°C
Le temps de montée typique est 1,6 1,8 μs
Valeur typique 680 730 PF de capacité de jonction
Valeur typique 50 GΩ de résistance de shunt
× 9,9 10-16 W/Hz1/2 équivalent du × 10-16 de la puissance 9,0 de bruit
Valeur typique Ta=25°C, sensibilité : λ=λp, courant d'obscurité : VR=10 système mv, temps de montée : VR=0 V, f=10 kilohertz, résistance de shvolt : VR=10 système mv, puissance équivalente de bruit : VR=0 V, λ=λp, sauf indication contraire
Caractéristiques :
| le temps de montée typique est | 1,6 1,8 μs |
| Valeur typique de capacité de jonction | 680 730 PF |
| Valeur typique de résistance de shunt | 50 GΩ |
| Coefficient de température d'identification | 1,12 fois/°C |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255
