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Demande de soumission |
Aperçu ProduitsCapteur UV de photodiode

S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium

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S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium

S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium
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Image Grand :  S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium

Détails sur le produit:
Place of Origin: Japan
Nom de marque: Hamamatsu
Numéro de modèle: S12060 à 10
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: La norme
Prix: Négociable
Détails d'emballage: La norme
Délai de livraison: 3-5 jours ouvrables
Capacité d'approvisionnement: 3 000 pièces par mois
Contact

S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium

description de
Le type: Type infrarouge proche Secteur photosensible: φ1 mm
Le paquet: Métal Catégorie de colis: TO-18
Longueur d'onde de sensibilité maximale (typique): 800 Nm Plage de réponse spectrale: 400 à 1000 Nm
Mettre en évidence:

S12060 à 10

,

S12060-10 Photodiode au Si

,

Photodiode Si hautement sensible

S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium

 

 

Il s'agit d'un APD Si proche infrarouge de bande 800 nm qui peut fonctionner de manière stable sur une large plage de températures.

 

Caractéristiques
- Coefficient de température de tension de rupture: 0,4 V/°C
- Réponse à grande vitesse
- Haute sensibilité, faible bruit

 

Sensitivité (typique) 0.5 A/W
Courant sombre (maximum) 2 nA
Fréquence de coupe (typique) 600 MHz
Capacité terminale (typique) 6 pF
Voltage de rupture (typique) Pour l'électricité
Coefficient de température de tension de rupture (typique) 0.4 V/°C
Gain (typique) 100

 

S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium 0

Produit Tag:

Abat-jour solaires de capteur UV de flamme,

capteur UV de la flamme 0.25mm2,

capteur de détection de lumière UV de 370 nanomètre

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Xu

Téléphone: 86+13352990255

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