LA CHINE Capteur UV de photodiode

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  YJJ R2868 La lumière UV du type fenêtre latérale pénètre dans le détecteur UV et de flamme du côté de l'ampoule R9454

  [Classification maximale:1

  Caractéristiques de sensibilité spectrale (longueur):260 Nm

  Poids:1,5 g

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  S6430-01 Les capteurs de couleur RVB détectent le plastique monochromatique

  Secteur photosensible:20,8 × 2,4 mm

  Plage de réponse spectrale:590 à 720 nm

  Courant sombre (max.):0.02 NA

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  S1226-5BQ SI Pin Photodiode pour la photométrie de précision UV à visible supprime la sensibilité proche IR

  Le paquet:TO-5

  Taille de la zone photosensible:2.4*2,4 mm

  Voltage inverse:5V

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  S1227-66BR Si Photodiode Sensibilité UV élevée Sensibilité IR Inverse Voltahe VR Max 5V

  Forfait:8.9*10.1mm

  Taille de secteur actif:5.8*5.8mm

  Tension inverse VR Max.:5V

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  S1337-33BR 10-20mA Si photodiode Interface analogique pour des mesures précises

  Temps de réponse:1-2MS

  Sensitivité:Très haut

  Température de stockage:-40 à +125°C

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  S12060-10 Photodiode à basse température à avalanche de silicium

  Le type:Type infrarouge proche

  Secteur photosensible:φ1 mm

  Le paquet:Métal

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  R13192 Capteur de décharge de flamme UV TRON Haute sensibilité

  Le poids:5.3 G

  Voltage d'alimentation (en courant continu):420 V

  Réponse spectrale (courte):185 Nm

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  R12257 Capteurs de flamme UV TRON UV allumés et éteints à haute sensibilité

  Le poids:5g

  Réponse spectrale (longue):300 Nm

  Type de sensibilité:1200 Min-1

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  S2387-33R Capteur à photodiodes de silicium UV pour la photométrie à usage général

  Le paquet:× 6 7,6 millimètres

  Lumière-réception de la taille de surface:× 2,4 2,4 millimètres

  Secteur photosensible efficace:5,7 mm2

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  S7510 SI PIN Photodiode Réponse à grande vitesse Type de montage en surface

  Surface réceptrice de lumière:11 × 6 mm

  Compte de pixel:1

  Le paquet:D'autres matériaux

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  R14388 UV TRON Commutateur UV Effets photoélectriques du métal et effet de multiplication des gaz

  Maximum du contexte:5 min à 1

  Type de sensibilité:10 000 min-1

  Courant de pointe:50 mA

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  S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm

  Le type:Proche infrarouge (coefficient de température basse)

  Surface réceptrice de lumière:φ0,2 mm

  Le paquet:Métal

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