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Demande de soumission |
Aperçu ProduitsCapteur photoélectrique infrarouge

Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium de S1337-66BQ dans l'ultraviolet à la bande infrarouge

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Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium de S1337-66BQ dans l'ultraviolet à la bande infrarouge

Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium de S1337-66BQ dans l'ultraviolet à la bande infrarouge
Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium de S1337-66BQ dans l'ultraviolet à la bande infrarouge Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium de S1337-66BQ dans l'ultraviolet à la bande infrarouge

Image Grand :  Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium de S1337-66BQ dans l'ultraviolet à la bande infrarouge

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Le Japon
Nom de marque: Hamamatsu
Numéro de modèle: S1337-66BQ
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Tubes de
Délai de livraison: jours 3-5work
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 311/pcs/pre
Contact

Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium de S1337-66BQ dans l'ultraviolet à la bande infrarouge

description de
le secteur photographique est: 5,8 × 5.8mm Nombre de pixels: 1
Réfrigération et: Non - refroidi Encapsulé: En céramique
Tension inverse (maximum): 5V la gamme de réponse spectrale est: 190 à 1100 nanomètre
Mettre en évidence:

S1337-66BQ

,

Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium

Description de produit :

La photodiode infrarouge de silicium de S1337-66BQ est utilisée pour la détermination photométrique précise dans l'ultraviolet à la bande infrarouge

Caractéristiques :

Approprié à la détermination photométrique précise à partir de l'ultraviolet à la bande infrarouge

Sensibilité UV élevée : QE = 75% (λ=200 nanomètre)

Basse capacité

États de mesure : Ta=25 ℃, type., sauf indication contraire, photosensibilité : λ=960 nanomètre, courant d'obscurité : VR=10 système mv, temps de montée : VR=0 V, capacité terminale : VR=0 V, f=10 kilohertz

Caractéristiques :

Longueur d'onde maximale de sensibilité (valeur typique) 960 nanomètre
Sensibilité (valeur typique) 0,5 A/W
Courant d'obscurité (maximum) PA 100
Temps de montée (valeur typique) la 1 MU s
Capacité de jonction (valeur typique)

380 PF

Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium de S1337-66BQ dans l'ultraviolet à la bande infrarouge 0

Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium de S1337-66BQ dans l'ultraviolet à la bande infrarouge 1Détecteur photoélectrique infrarouge de silicium de S1337-66BQ dans l'ultraviolet à la bande infrarouge 2

Produit Tag:

Capteur R9533 photoélectrique infrarouge,

Capteur de couleur de RVB,

Capteur de flamme d'UVTRON

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Xu

Téléphone: 86+13352990255

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À propos

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