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Détails sur le produit:
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| la zone photographique est: | 20,8 × 2,4 mm | Nombre de pixels: | 1 |
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| Réfrigération et: | Non refroidi | Encapsulé: | D'autres matériaux |
| Mettre en évidence: | Capteur photoélectrique de S7686 IR,Capteur photoélectrique 550 nanomètre d'IR,Détecteur infrarouge photoélectrique de poutre |
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Description du produit:
S7686 SI Capteur à photodiode avec une sensibilité proche de l'efficacité lumineuse spectrale
Caractéristiques:
S7686 is a silicon photodiode whose spectral response characteristics are closer to the sensitivity (spectral luminescence efficiency) of the human eye than traditional visible light compensation sensors (S1133, etc.).
La réponse spectrale est similaire à l'efficacité de luminescence spectrale CIE
Emballage en céramique, fiabilité élevée
Zone photographique: 2.4× 2,8 mm
Réponse à haute vitesse: 0,5 US (VR=0 V, RL=1 k)Le nombre de
Valeur Fs: 8% de la valeur typique (incidence lumineuse verticale)
Temps de montée (valeur typique).0.5 unités
Capacité de jonction (valeur typique) 200 pF
Condition de mesure TYP.TA = 25°C, sauf indication contraire, Photosensibilité: λ=λp, Courant sombre: VR=1V, Capacité terminale:VR = 0 V, f = 10 kHz
Les spécifications:
| Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. | 10 V |
| la plage de réponse spectrale est | 480 à 660 nm |
| la longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) était | 550 nm |
| Sensitivité (valeur typique) | 0.38 A/W |
| Courant sombre (maximum) | 20 pA |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255
