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Aperçu ProduitsCapteur UV de photodiode

Opération photovoltaïque UV basée sur GaN de mode du capteur GS-AB-S de photodiode d'UVA

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LA CHINE ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certifications
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Opération photovoltaïque UV basée sur GaN de mode du capteur GS-AB-S de photodiode d'UVA

Opération photovoltaïque UV basée sur GaN de mode du capteur GS-AB-S de photodiode d'UVA
Opération photovoltaïque UV basée sur GaN de mode du capteur GS-AB-S de photodiode d'UVA

Image Grand :  Opération photovoltaïque UV basée sur GaN de mode du capteur GS-AB-S de photodiode d'UVA

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: YJJ
Numéro de modèle: GS-AB-S
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 5
Détails d'emballage: Tubes de
Délai de livraison: jours 3-5work
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 1501/pcs/pre

Opération photovoltaïque UV basée sur GaN de mode du capteur GS-AB-S de photodiode d'UVA

description de
Matériel: matière première de nitrure de gallium Bande large: Photodiode d'UVA+UVB+UVC
Principe: Opération en mode photovoltaïque Emballage: TO-46
Objet d'essai: Détection d'ultraviolets
Mettre en évidence:

Capteur UV GS-AB-S de photodiode

,

Capteur UV basé sur GaN de photodiode

,

Photodiode UV d'UVA

Description de produit :

Photodiode UV basée sur GaN de GS-AB-S

Caractéristiques :

Large photodiode de la bande UVA+UVB+UVC

Opération photovoltaïque de mode

Logement de TO-46metal

Bonne cécité évidente

Haut responsivity et bas courant d'obscurité

Surveillance UV d'index, mesure UV de dose de rayonnement, détection de flamme

Spécifications

Paramètres Symbole Valeur Unité
Estimations maximum
Température ambiante d'opération Topt -25-85 OC
Température ambiante de température de stockage Tsto -40-85 OC
La température de soudure (3 s) Tsol 260 OC
Tension inverse Vr-maximum -10 V
Caractéristiques générales (25 OC)
Taille de puce 1 mm2
Courant d'obscurité (Vr = -1 V) Identification <1>Na
Coefficient de température (@265 nanomètre) Comité technique 0,05 % d'OC
Capacité (à 0 V et à 1 mégahertz) Cp 18 PF
Caractéristiques de réponse spectrale (25 OC)
Longueur d'onde de responsivity maximal λ p 355 nanomètre
Responsivity maximal (à 355 nanomètre) Rmax 0,20 A/W
Gamme de réponse spectrale (R=0.1×Rmax) - 210-370 nanomètre
rapport de rejet UV-évident (Rmax/R400 nanomètre) - >104 -

Caractéristiques :

Caractéristiques Paramètres
Longueur d'onde maximale 355NM
Sensibilité légère 0.20A/W
Temps de montée 3US
Conditions d'essai valeurs typiques, Ta=25°

Opération photovoltaïque UV basée sur GaN de mode du capteur GS-AB-S de photodiode d'UVA 0

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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