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Détails sur le produit:
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| Matériel: | matière première de nitrure de gallium | Bande large: | Photodiode d'UVA+UVB+UVC |
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| Principe: | Opération en mode photovoltaïque | Emballage: | TO-46 |
| Objet d'essai: | Détection d'ultraviolets | ||
| Mettre en évidence: | Capteur UV GS-AB-S de photodiode,Capteur UV basé sur GaN de photodiode,Photodiode UV d'UVA |
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Description de produit :
Photodiode UV basée sur GaN de GS-AB-S
Caractéristiques :
Large photodiode de la bande UVA+UVB+UVC
Opération photovoltaïque de mode
Logement de TO-46metal
Bonne cécité évidente
Haut responsivity et bas courant d'obscurité
Surveillance UV d'index, mesure UV de dose de rayonnement, détection de flamme
Spécifications
| Paramètres | Symbole | Valeur | Unité |
| Estimations maximum | |||
| Température ambiante d'opération | Topt | -25-85 | OC |
| Température ambiante de température de stockage | Tsto | -40-85 | OC |
| La température de soudure (3 s) | Tsol | 260 | OC |
| Tension inverse | Vr-maximum | -10 | V |
| Caractéristiques générales (25 OC) | |||
| Taille de puce | 1 | mm2 | |
| Courant d'obscurité (Vr = -1 V) | Identification | <1> | Na |
| Coefficient de température (@265 nanomètre) | Comité technique | 0,05 | % d'OC |
| Capacité (à 0 V et à 1 mégahertz) | Cp | 18 | PF |
| Caractéristiques de réponse spectrale (25 OC) | |||
| Longueur d'onde de responsivity maximal | λ p | 355 | nanomètre |
| Responsivity maximal (à 355 nanomètre) | Rmax | 0,20 | A/W |
| Gamme de réponse spectrale (R=0.1×Rmax) | - | 210-370 | nanomètre |
| rapport de rejet UV-évident (Rmax/R400 nanomètre) | - | >104 | - |
Caractéristiques :
| Caractéristiques | Paramètres |
| Longueur d'onde maximale | 355NM |
| Sensibilité légère | 0.20A/W |
| Temps de montée | 3US |
| Conditions d'essai | valeurs typiques, Ta=25° |
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Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255