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Détails sur le produit:
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| taille de puce: | 1 mm2 | Encapsulation: | TO46 |
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| Caractéristiques: | Fenêtre en saphir, haute sensibilité, faible courant sombre | la longueur d'onde de réponse est: | 200 à 400 nm |
| Mettre en évidence: | Capteur UV de photodiode de fenêtre de saphir,Moniteur Photocatalytic de capteur UV de photodiode |
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Description du produit:
Sensor de photodiode UV pour la surveillance photocatalytique UV
Caractéristiques:
Caractéristiques générales: l Matériau à base de nitrure d'indium et de gallium l Fonctionnement en mode photovoltaïqueMesure de la dose de rayonnement UV, Spécifications de durcissement UV: Parameters Symbol Value Unit Maximum ratings Operation temperature range Topt -25-85 oC Storage temperature range Tsto -40-85 oC Soldering temperature (3 s) Tsol 260 oC Reverse voltage Vr-max -10 V General characteristics (25 oC) Chip size A 1 mm2 Dark current (Vr = -5 V) Id
< 1 nA Coefficient de température Tc 0,05 %/ oC Capacité (à 0 V et 1 MHz) Cp 60 pF >
Les spécifications:
| Longueur d'onde du pic de réactivité | λ p 375 nm |
| Réactivité maximale (à 385 nm) | Rmax 0,243 A/W |
| La fréquence de réponse spectrale (R=0,1 × Rmax) | 200 à 400 nm |
| Ratio de rejet UV visible (Rmax/R450 nm) | - > 104 - |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255
