|
Détails sur le produit:
|
| la zone photosensible est: | φ1,0 mm | Nombre de pixels: | 1 |
|---|---|---|---|
| Encapsulé: | Métal | le type d'encapsulation est: | TO-18 |
| Mode de refroidissement: | Non refroidi | la plage de réponse spectrale est: | 00,9 à 1,7 μm |
| Mettre en évidence: | Capteur G8370-81 photoélectrique infrarouge,Bas PDL de capteur photoélectrique infrarouge,Photodiode de PIN d'InGaAs |
||
Description du produit:
G8370-81 InGaAs PIN Photodiode Faible perte de dépendance à la polarisation PDL
Caractéristiques:
Faible PDL (perte dépendante de la polarisation)
La photodiode InGaAs PIN G8370-81 présente une faible PDL (perte dépendante de la polarisation), une grande résistance à la merde et un très faible bruit à 1.55Je vous en prie.
Caractéristiques du produit
Faible PDL (perte dépendante de la polarisation)
● Faible bruit, faible courant sombre
● Grande surface photographique
● Zone sensible à la lumière:φ1 mm
Puissance équivalente bruit (valeur type) 2×10 à 14 W/hz1/2
Conditions de mesure TYP.TA =25°C, photosensibilité: λ=λp, courant sombre: VR=1 V, fréquence de coupure:Pour les véhicules à moteur à combustionω, -3 dB, capacité terminale: VR=1 V, F=1 MHz, sauf indication contraire
Les spécifications:
| la longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) était | 10,55 μm |
| Sensitivité (valeur typique) | 1.1 A/W |
| Courant sombre (maximum) | 5 nA |
| Fréquence de coupe (valeur typique) | 35 MHz |
| Capacité de jonction (valeur typique) | 90 pF |
| Puissance équivalente bruit (valeur typique) | 2 × 10-14 W/hz1/2 |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255
