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Détails sur le produit:
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| la zone photographique est: | × 2,4 2,4 millimètres | Réfrigération et: | Non refroidi |
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| Encapsulé: | Métal | le type d'encapsulation est: | TO-5 |
| Mettre en évidence: | Capteur photoélectrique infrarouge de S1336-5BQ,Capteur photoélectrique infrarouge ultra-violet,Capteur réfléchi photoélectrique |
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Description du produit:
S1336-5BQ Photodiode au silicium UV à NIR pour la photométrie de précision
Caractéristiques:
Convient pour la détermination photométrique précise de l'ultraviolet au proche infrarouge
caractéristiques
● Haute sensibilité à la bande ultraviolette
Basse capacité basse
● Une grande fiabilité
Temps de montée (valeur typique).0.2 u s
Capacité de jonction (valeur typique) 65 pF
Condition de mesure Ta=25°C, type, sauf indication contraire, photosensibilité: λ=960 nm, courant sombre: VR=10 mV, temps de montée:VR=0 V, capacité du terminal: VR=0 V, f=10 kHz
Les spécifications:
| Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. | 5V |
| la plage de réponse spectrale est | 190 à 1100 nm |
| Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) | 960 nm |
| Sensitivité (valeur typique) | 0.5 A/W |
| Courant sombre (maximum) | 30 pA |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255
