Détails sur le produit:
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Le type: | Proche infrarouge (coefficient de température basse) | Surface réceptrice de lumière: | φ0,2 mm |
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Le paquet: | Métal | Catégorie de colis: | TO-18 |
Mettre en évidence: | Diode d'avalanche S12060-02,Diode d'avalanche Coeffi Cient,Diode d'avalanche basse température |
S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm
Caractéristiques:
Coefficient de température de la tension de rupture:
0.4 V/°C
Réponse à grande vitesse
Haute sensibilité et faible bruit
Applications:
Autres appareils de mesure de distance
FSO
Communication par fibres optiques
Fiche de données:
Longueur d'onde de sensibilité maximale (typique) | 800 nm |
Plage de longueur d'onde de sensibilité | 400 à 1000 nm |
Photosensibilité (typique) | 0.5 A/W |
Courant sombre (maximum) | 0.5 nA |
Fréquence de coupe (typique) | 1000 MHz |
Capacité de jonction (typique) | 1.5 pF |
Voltage de rupture (typique) | Pour l'électricité |
Coefficient de température de la tension de rupture (typique) | 0.4 V/°C |
Ratio de gain (valeur typique) | 100 |
Personne à contacter: Xu
Téléphone: 86+13352990255