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S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm

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S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm

S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm
S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm

Image Grand :  S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: Hamamatsu
Numéro de modèle: S12060-02
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: Négociable
Détails d'emballage: Emballage standard
Délai de livraison: 5-8workingdays
Conditions de paiement: LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 1000 pièces/mois

S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm

description de
Le type: Proche infrarouge (coefficient de température basse) Surface réceptrice de lumière: φ0,2 mm
Le paquet: Métal Catégorie de colis: TO-18
Mettre en évidence:

Diode d'avalanche S12060-02

,

Diode d'avalanche Coeffi Cient

,

Diode d'avalanche basse température

S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm

 

Caractéristiques:

Coefficient de température de la tension de rupture:
0.4 V/°C
Réponse à grande vitesse
Haute sensibilité et faible bruit

 

Applications:

Autres appareils de mesure de distance
FSO
Communication par fibres optiques

 

Fiche de données:

Longueur d'onde de sensibilité maximale (typique) 800 nm
Plage de longueur d'onde de sensibilité 400 à 1000 nm
Photosensibilité (typique) 0.5 A/W
Courant sombre (maximum) 0.5 nA
Fréquence de coupe (typique) 1000 MHz
Capacité de jonction (typique) 1.5 pF
Voltage de rupture (typique) Pour l'électricité
Coefficient de température de la tension de rupture (typique) 0.4 V/°C
Ratio de gain (valeur typique) 100

 

S12060-02 Photodiode à avalanche de silicium Senspr Faible coefficient de température type APD pour la bande de 800 Nm 0

 

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Xu

Téléphone: 86+13352990255

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