Détails sur le produit:
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Plage de longueur d'onde de sensibilité: | 200 à 1000 nm | Photosensibilité (valeur typique): | 0.42 A/W |
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Courant sombre (max.): | Na 5 | Fréquence de coupe (valeur typique): | 900 mégahertz |
Mettre en évidence: | Photodiode à avalanche au silicium APD,APD à courte longueur d'onde,Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil. |
Description du produit:
S12053-02 APD au silicium Avalanche Photodiode à courte longueur d'onde type APD
Caractéristiques:
spécificité
- Haute sensibilité et faible bruit dans la gamme UV à visible
Type Type de longueur d'onde courte
(opération de faible biais)
Surface réceptrice φ0,2 mm
Métal d'encapsulation
Catégorie de colis TO-18
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 620 nm
Plage de longueur d'onde de sensibilité de 200 à 1000 nm
Photosensibilité (valeur typique) 0,42 A/W
Courant sombre (max.) 5 nA
Fréquence de coupe (valeur typique) 900 MHz
Capacité de jonction (typique) 2 pF
Voltage de rupture (valeur typique) 150 V
Coefficient de température de tension de rupture (valeur typique) 0,14 V/°C
Taux de gain (valeur typique) 50
Conditions de mesure Valeur typique Ta = 25°C, sauf indication contraire
Sensitivité: λ = 620 nm, M = 1
Les spécifications:
Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension. | 5 nA |
Plage de réponse spectrale | 200 à 1000 nm |
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) | 620 nm |
Taux de gain (valeur typique) | 50 |
Personne à contacter: Miss. Xu
Téléphone: 86+13352990255