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Aperçu ProduitsCapteur photoélectrique infrarouge

YJJ S6931-01 Photodiode de silicium dans un emballage en plastique transparent visible à la bande proche infrarouge

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YJJ S6931-01 Photodiode de silicium dans un emballage en plastique transparent visible à la bande proche infrarouge

YJJ S6931-01 Photodiode de silicium dans un emballage en plastique transparent visible à la bande proche infrarouge
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Image Grand :  YJJ S6931-01 Photodiode de silicium dans un emballage en plastique transparent visible à la bande proche infrarouge

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Le Japon
Nom de marque: HAMAMATSU
Numéro de modèle: S6931-01
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Tuyauterie
Délai de livraison: 3 jours
Conditions de paiement: LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 2200

YJJ S6931-01 Photodiode de silicium dans un emballage en plastique transparent visible à la bande proche infrarouge

description de
Dissipation de la chaleur: Type non refroidi Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension.: 10 V
Plage de longueur d'onde de sensibilité: 320 à 1000 nm Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique): 720 Nm
Mettre en évidence:

Photodiode de silicium visible

,

Emballage en plastique transparent Photodiode de silicium

Description du produit:

S6931-01 Photodiode de silicium dans un emballage en plastique transparent visible à la bande proche infrarouge

Caractéristiques:

Photodiodes de silicium moulées dans un emballage en plastique transparent

spécificité

- Visible dans la bande proche infrarouge (type de sensibilité infrarouge supprimée)

Paramètre détaillé

Surface réceptrice 2,4 × 2,8 mm

Plastique encapsulé

Catégorie de colis --

Type non refroidi de dissipation de chaleur

Voltage inverse (max.) 10 V

Plage de longueur d'onde de sensibilité 320 à 1000 nm

Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 720 nm

Photosensibilité (valeur typique) 0,48 A/W

courant sombre (max.) 20 pA

Temps de montée (valeur typique) 0,5 μs

Capacité de jonction (valeur typique) 200 pF

Valeur typique des conditions de mesure Ta=25°C, photosensibilité: λ = λp, courant sombre: VR = 1 V, capacité de jonction: VR = 0 V, f = 10 kHz, sauf indication contraire

Caractéristique de sensibilité spectrale

Les spécifications:

Photosensibilité (valeur typique) 0.48 A/W
Courant sombre (max.) 20 pA
Temps de montée (valeur typique) 0.5 μs
Capacité de jonction (valeur typique) 200 pF

YJJ S6931-01 Photodiode de silicium dans un emballage en plastique transparent visible à la bande proche infrarouge 0

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Miss. Xu

Téléphone: 86+13352990255

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