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Détails sur le produit:
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| High UV sensitivity: | QE 75% (λ=200 nm) | Receiving surface: | 5.8 × 5.8 mm |
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| Reverse voltage (Max.): | 5V | Rise time (typical value): | 1 μs |
| Mettre en évidence: | Photodiode au silicium ultraviolet,Photodiode au silicium de précision |
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Description du produit:
S1337-66BQ La photodiode de silicium convient à la photométrie de précision dans les bandes ultraviolette à infrarouge
Caractéristiques:
Convient pour la photométrie précise dans les bandes ultraviolette à infrarouge
spécificité
- Haute sensibilité aux UV: QE 75% (λ=200 nm)
- Faible capacité
Surface réceptrice 5,8 × 5,8 mm
Ceramiques encapsulées
Catégorie de colis --
Type de réfrigérateur non refroidi
Voltage inverse (max.) 5 V
Plage de réponse spectrale de 190 à 1100 nm
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 960 nm
Photosensibilité (valeur typique) 0,5 A/W
Courant sombre (max.) 100 pA
Temps de montée (valeur typique) 1 μs
Capacité de jonction (typique) 380 pF
Puissance équivalente bruit (valeur typique) 1,3 × 10-14 W/Hz1/2
Valeur typique des conditions de mesure Ta=25°C, photosensibilité: λ = 960 nm, courant sombre: VR = 10 mV, capacité de jonction: VR = 0 V, f = 10 kHz, sauf indication contraire
Les spécifications:
| Plage de réponse spectrale | 190 à 1100 nm |
| Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) | 960 nm |
| Photosensibilité (valeur typique) | 0.5A /W |
| Courant sombre (max.) | 100 pA |
Personne à contacter: Miss. Xu
Téléphone: 86+13352990255
