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Détails sur le produit:
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| Photosensitivity (typical value): | 0.5A /W | Dark current (Max.): | 50 pA |
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| Rise time (typical value): | 0.2μs | Junction capacitance (typical): | 65 pF |
| Mettre en évidence: | Photodiode de silicium à faible capacité |
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Description du produit:
S1337-16BQ La photodiode de silicium à faible capacité convient à la photométrie de précision dans les bandes ultraviolette à infrarouge
Caractéristiques:
Surface réceptrice 5,9 × 1,1 mm
Ceramiques encapsulées
Catégorie de colis --
Type de réfrigérateur non refroidi
Voltage inverse (max.) 5 V
Plage de réponse spectrale de 190 à 1100 nm
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 960 nm
Photosensibilité (valeur typique) 0,5 A/W
courant sombre (max.) 50 pA
Temps de montée (valeur typique) 0,2 μs
Capacité de jonction (typique) 65 pF
Puissance équivalente bruit (valeur typique) 1,0 × 10-14 W/Hz1/2
Valeur typique des conditions de mesure Ta=25°C, photosensibilité: λ = 960 nm, courant sombre: VR = 10 mV, capacité de jonction: VR = 0 V, f = 10 kHz, sauf indication contraire
Les spécifications:
| Plage de réponse spectrale | 190 à 1100 nm |
| Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) | 960 nm |
| Photosensibilité (valeur typique) | 0.5A /W |
| Courant sombre (max.) | 50 pA |
Personne à contacter: Miss. Xu
Téléphone: 86+13352990255
