Détails sur le produit:
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Receiving surface: | 18 × 18 mm | Reverse voltage (Max.): | 5 V |
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Sensitivity (typical value): | 0.52 A/W | Dark current (Max.): | 500 pA |
Mettre en évidence: | Photodiode au silicium UV,Photodiode au silicium IR,Photométrie de précision Photodiode de silicium |
Description du produit:
S1337-21 La photodiode de silicium convient à la photométrie de précision dans les bandes ultraviolette à infrarouge
Caractéristiques:
Surface réceptrice 18 × 18 mm
Ceramiques encapsulées
Catégorie de colis non scellée
Catégorie de colis non scellée
Type de réfrigérateur non refroidi
Voltage inverse (max.) 5 V
Plage de réponse spectrale de 190 à 1100 nm
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 960 nm
Sensitivité (valeur typique) 0,52 A/W
Courant sombre (max.) 500 pA
Temps de montée (valeur typique) 8 μs
Capacité de jonction (typique) 4000 pF
Puissance équivalente bruit (valeur typique) 2,5 × 10-14 W/Hz1/2
Valeur typique des conditions de mesure Ta=25°C, photosensibilité: λ = 960 nm, courant sombre: VR = 10 mV, capacité de jonction: VR = 0 V, f = 10 kHz, sauf indication contraire
Les spécifications:
Plage de réponse spectrale | 190 à 1100 nm |
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) | 960 nm |
Photosensibilité (valeur typique) | 0.52A /W |
Courant sombre (max.) | 500 pA |
Personne à contacter: Miss. Xu
Téléphone: 86+13352990255