Détails sur le produit:
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côté récepteur de la lumière: | 5.8 × 5,8 mm | Encapsulation: | Produits de céramique |
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Réfrigération: | D'une épaisseur n'excédant pas 1 mm | Voltage inverse (maximum): | 5 V |
Plage de réponse spectrale: | 190 à 1000 Nm | Sensitivité à la lumière (typique): | 0.36 A/W |
Mettre en évidence: | S1227-66BQ Photodiodes au silicium,Photodiodes de silicium à sensibilité IR réduite,S1227-66BR Photodiodes au silicium |
Les photodiodes de silicium S1227-66BQ
Caractéristiques
- Haute sensibilité aux UV (type de fenêtre au quartz): QE = 75% (λ = 200 nm)
- Répression de la sensibilité IR
- Faible courant sombre.
Puissance équivalente bruit (typique) | 5.0 × 10- 15 ans.W/Hz- Un demi |
Capacité de jonction (typique) | 950 pF |
Temps de montée (typique) | 2 μs |
Courant sombre (maximum) | 20 pA |
Sensitivité à la lumière (typique) | 0.36 A/W |
Photodiodes au silicium S1227-66BR
Il convient à la photométrie précise dans la bande de longueur d'onde ultraviolette à visible; Supprime la sensibilité infrarouge
Caractéristiques
- Pottes en résine
type - Suppression de la sensibilité aux infrarouges
- Faible courant sombre.
côté récepteur de la lumière | 5.8 × 5,8 mm |
encapsulation | céramiques |
réfrigération | D'une teneur en poids en poids inférieur ou égal à 250 g/m2 |
Voltage inverse (maximum) | 5 V |
Plage de réponse spectrale | 340 à 1000 nm |
Longueur d'onde de sensibilité maximale (typique) | 720 nm |
Personne à contacter: Miss. Xu
Téléphone: 86+13352990255