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Aperçu ProduitsCapteur photoélectrique infrarouge

YJJ S4111-35Q Le réseau de photodiodes de silicium est utilisé dans la bande ultraviolette à proche infrarouge

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LA CHINE ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. certifications
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YJJ S4111-35Q Le réseau de photodiodes de silicium est utilisé dans la bande ultraviolette à proche infrarouge

YJJ S4111-35Q Le réseau de photodiodes de silicium est utilisé dans la bande ultraviolette à proche infrarouge
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Image Grand :  YJJ S4111-35Q Le réseau de photodiodes de silicium est utilisé dans la bande ultraviolette à proche infrarouge

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Le Japon
Nom de marque: HAMAMATSU
Numéro de modèle: S4111-35Q
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Détails d'emballage: Partage en assiette
Délai de livraison: 5 à 8 jours
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 500

YJJ S4111-35Q Le réseau de photodiodes de silicium est utilisé dans la bande ultraviolette à proche infrarouge

description de
Taille de pixel: 00,9 × 4,4 mm Compte de pixel: 35
Emballage: D'autres matériaux Catégorie de colis: DIP à 40 broches
Type de scintilleur: Aucune Voltage inverse: 15 V
Mettre en évidence:

Array de photodiodes de silicium proche infrarouge

,

YJJ S4111-35Q Série de photodiodes au silicium

,

Array de photodiodes de silicium ultraviolet

Description du produit:

S4111-35Q Le réseau de photodiodes de silicium est utilisé dans la bande ultraviolette à proche infrarouge

Caractéristiques:

Un tableau de photodiodes de silicium de 35 pixels adapté à la bande ultraviolette à proche infrarouge

S4111-35Q est une matrice linéaire de photodiodes de silicium installée dans un DIP en céramique (double en ligne).couvrant une large gamme spectrale allant de la lumière ultraviolette à la lumière infrarouge procheÉtant donné que tous les pixels peuvent adopter le biais inverse de la lecture du stockage de charge, le S4111-35Q peut détecter la faible luminosité avec une grande sensibilité.Il peut être utilisé comme une fenêtre de réception de lumière pour connecter des filtres spéciaux (produits personnalisés).

Caractéristiques

- Surface très exposée

Faible écho croisé

Sensitivité au proche infrarouge accrue

Faible courant sombre

Taille des pixels (chaque pixel): 0,9 × 4,4 mm

Nombre de pixels: 35

Ceramiques d'encapsulation

Catégorie de l'emballage: 40 broches DIP

Il n'y a pas de type de scintilleur

Type réfrigéré non refroidi

Voltage inverse (valeur maximale) 15 V

La gamme de longueur d'onde de sensibilité est de 190 à 1100 nm

La longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) est de 960 nm.

Sensitivité photosensible (valeur typique): 0,58 A/W

Courant sombre (valeur maximale) 10 pA

Temps de montée (valeur typique) 1,2 μs

Capacité de jonction (valeur typique) 550 pF

La valeur typique de la condition de mesure Ta = 25°C, sauf indication contraire

Pour chaque pixel, sensibilité photosensible: λ = 960 nm, courant sombre: VR=10 mV, temps de montée: VR=0 V, capacité de jonction: VR=0 V

Shenzhen Yijiajie Electronic Technology Co., Ltd. sert principalement les fabricants OEM dans la vente de produits de capteurs.Nous fournissons des ventes de produits et des services de support technique en Chine pour des fabricants de renommée mondialeNous sommes également actuellement un fournisseur professionnel de produits de détection et de contrôle en Chine et à Hong Kong.La société de Shenzhen est située à l'intersection de Shennan Middle Road et Huaqiang North Road à Shenzhen.Pendant ce temps, la société dispose d'une grande quantité d'inventaire au détail à Shenzhen et à Hong Kong et peut passer des commandes directement de l'étranger avec une livraison rapide.Nous espérons coopérer avec les fabricants nationaux liés pour fournir à votre entreprise des produits de haute qualité et satisfaisants et rendre vos produits plus compétitifsNous sommes sincèrement impatients de coopérer avec vous.

Sles spécifications:

Longueur d'onde de sensibilité maximale 960 nm
Sensitivité à la lumière 0.58 A/W
Courant sombre 10 pA
Temps de montée 1.2 μs

YJJ S4111-35Q Le réseau de photodiodes de silicium est utilisé dans la bande ultraviolette à proche infrarouge 0

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Miss. Xu

Téléphone: 86+13352990255

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