Emballage de haute précision Sensor photoélectrique infrarouge non refroidi de type S16765-01MS avec faible courant sombre et temps de montée de 0,5 μs

                                           S16765-01MS Capteur photoélectrique infrarouge

Informations générales :

• Nom du produit : Photodiode au silicium S16765 - 01MS
• Marque : Hamamatsu Photonics
• Spécification du boîtier : Boîtier plastique
• Catégorie : Photodiode au silicium (Si)
• Gamme d'application : Gamme visible à proche infrarouge

Paramètres de performance :

• Surface photosensible : 2,8 × 2,4 mm
• Nombre de pixels : 1
• Méthode de refroidissement : Type non refroidi
• Gamme de réponse spectrale : 320 - 1000 nm
• Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) : 720 nm
• Photosensibilité (valeur typique) : 0,4 A/W
• Courant d'obscurité (valeur maximale) : 20 pA
• Temps de montée (valeur typique) : 0,5 μs
• Capacité de jonction (valeur typique) : 200 pF
• Conditions de mesure : Ta = 25°C, valeur typique. Photosensibilité : λ = λp. Courant d'obscurité : VR = 1 V. Capacité de jonction : VR = 0 V, f = 10 kHz, sauf indication contraire.

Caractéristiques :

• Faible courant d'obscurité : Il peut mesurer de faibles à fortes illuminations avec une grande précision.
• Emballage de précision : Le boîtier pré-moulé peut empêcher la lumière parasite provenant du côté et de l'arrière du boîtier de pénétrer dans la zone photosensible, ce qui est bénéfique pour améliorer la précision de la mesure.