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Détails sur le produit:
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| Longueur d'onde de sensibilité maximale (typ.): | 800 Nm | Plage de réponse spectrale: | 400 nm - 1 000 nm |
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| Courant sombre (max.): | Na 2 | Secteur photosensible: | φ1 mm |
| Capacité terminale (typique): | 6 PF | Voltage de rupture (typique): | Pour l'électricité |
| Mettre en évidence: | Photodiode à avalanche en silicium proche infrarouge,Photodiode à avalanche pour télémètres optiques,Capteur photodiode UV avec garantie |
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S12060-10 Photodiode à avalanche au silicium proche infrarouge pour principalement les télémètres optiques
Caractéristiques principales :
Il possède un faible coefficient de température de tension de claquage de 0,4 V/℃, ce qui assure un fonctionnement stable dans une large plage de températures et n'est pas facilement affecté par les changements de température ambiante.
Applications typiques :
Ce capteur est largement utilisé dans les scénarios nécessitant une détection optique proche infrarouge de haute précision, comprenant principalement les télémètres optiques, les systèmes d'optique en espace libre (FSO), les équipements de diagnostic médical, les dispositifs de communication optique et d'autres domaines qui exigent une détection stable des signaux optiques dans des conditions de température variables.
| Longueur d'onde de sensibilité maximale (Typ.) | 800 nm |
| Plage de réponse spectrale | 400 nm - 1000 nm |
| Surface photosensible | φ1 mm (0,7854 mm²) |
| Photosensibilité (Typ.) | 0,5 A/W (mesuré à λ = 800 nm, M = 1) |
| Courant d'obscurité (Max.) | 2 nA |
| Fréquence de coupure (Typ.) | 600 MHz |
| Capacitance de la borne (Typ.) | 6 pF |
| Tension de claquage (Typ.) | 200 V |
| Coefficient de température de la tension de claquage (Typ.) | 0,4 V/℃ |
| Gain (Typ.) | 100 |
| Boîtier | Boîtier métallique TO-18 |
| Température de fonctionnement | - 40℃ à +85℃ |
| Température de stockage | - 55℃ à +125℃ |
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Personne à contacter: Miss. Xu
Téléphone: 86+13352990255