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G12183-003K Photodiode PIN à l'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) haute performance pour photomètres optiques et détection de puissance laser

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G12183-003K Photodiode PIN à l'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) haute performance pour photomètres optiques et détection de puissance laser

G12183-003K Photodiode PIN à l'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) haute performance pour photomètres optiques et détection de puissance laser
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Image Grand :  G12183-003K Photodiode PIN à l'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) haute performance pour photomètres optiques et détection de puissance laser

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Japon
Numéro de modèle: G12183-003K
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: Négociable
Détails d'emballage: Boîte en papier
Délai de livraison: 3-5 jours de travail
Conditions de paiement: LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 5000 pièces
Contact

G12183-003K Photodiode PIN à l'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) haute performance pour photomètres optiques et détection de puissance laser

description de
Type de colis: TO-18 Type de montage: Traversant (3 broches)
Nombre de broches: 3 broches Dimension de la fenêtre: 3,0 ± 0,1 mm
Diamètre d'avance: 0,45 mm Distance: -0,2 ≤x≤+0,2 mm
Mettre en évidence:

Photodiode PIN InGaAs pour photomètres optiques

,

Photodiode InGaAs haute performance pour la détection laser

,

Capteur photoélectrique infrarouge avec technologie InGaAs

 

    G12183-003K Photodiode PIN à l'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) haute performance pour photomètres optiques et détection de puissance laser

 

 

Caractéristiques :


Photodiode PIN InGaAs pour détection dans le proche infrarouge longue longueur d'onde
Large réponse spectrale : 0,9 µm à 2,6 µm
Haute sensibilité à la longueur d'onde de crête de 2,3 µm
Haute responsivité : 1,0 à 1,3 A/W
Petite surface active : φ0,3 mm
Faible courant d'obscurité pour un rapport signal/bruit amélioré
Boîtier métallique compact TO-18
Bonne vitesse de réponse et faible bruit
Température de fonctionnement : -40°C à +85°C
Conforme RoHS
Convient pour un fonctionnement sans refroidissement

 

 

 

Applications :


Photomètres optiques
Analyseurs de gaz
Humidimètres
Photométrie et spectroscopie dans le proche infrarouge (NIR)
Surveillance des processus industriels
Analyse environnementale
Tests de communication optique

 

 

Paramètre

Min

Typ

Max

Unité

Condition de test
Plage de réponse spectrale 0,9 - 2,6 μm Ta=25°C
Longueur d'onde de sensibilité de crête - 2,3 - μm Ta=25°C
Photosensibilité (Responsivité) 1,0 1,3 - A/W À λ=2,3 μm, Ta=25°C
Courant d'obscurité - 0,4 4 μA Vr=0,5 V, Ta=25°C
Coefficient de température du courant d'obscurité - 1,035 - fois/°C Vr=0,5 V
Fréquence de coupure - 50 - MHz Ta=25°C
Capacité de terminal - 50 100 pF Vr=0 V, f=10 kHz
Tension inverse (Max.) - - 1 V Ta=25°C
Résistance shunt 20 - 100 kΩ Ta=25°C
Plage de température de fonctionnement -40 - +85 °C Spécification complète
Plage de température de stockage -55 - +125 °C -
Zone photosensible - φ0,3 - mm -
Nombre d'éléments - 1 - - -
Température de soudage - - 260 °C ≤10s durée
Matériau de la fenêtre - Verre borosilicaté - - -

 

G12183-003K Photodiode PIN à l'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) haute performance pour photomètres optiques et détection de puissance laser 0

Produit Tag:

Capteur R9533 photoélectrique infrarouge,

Capteur de couleur de RVB,

Capteur de flamme d'UVTRON

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Miss. Xu

Téléphone: 86+13352990255

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