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Aperçu ProduitsCapteur photoélectrique infrarouge

S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium

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S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium

S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium
S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium

Image Grand :  S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: JAPON
Nom de marque: Hamamatsu
Numéro de modèle: S12023-02-01
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: Négociable
Détails d'emballage: Forfait Standard
Délai de livraison: 3-5 jours de travail
Conditions de paiement: LC, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement: 10000 pièces/mois
Contact

S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium

description de
Le type: Proche infrarouge (fonctionnement à faible polarisation) Taille de la zone active: φ0,2 mm
Matériel d'emballage: Métal Type de colis: TO-18
Mettre en évidence:

Capteur infrarouge à photodiode Avalanche de silicium

,

Photodiode infrarouge fonctionnant à faible biais

,

Capteur photoélectrique infrarouge avec garantie

S12023-02-01 Photodiode à avalanche au silicium, fonctionnement infrarouge à faible polarisation

 

Cette photodiode à avalanche au silicium (Si APD) est conçue pour la gamme proche infrarouge (bande de 800 nm) et fonctionne à des tensions faibles de 200 V ou moins. Elle convient aux applications telles que les télémètres optiques et la communication optique en espace libre.


Caractéristiques :
・Fonctionnement stable à faible tension de polarisation
・Vitesse de réponse rapide
・Haute sensibilité et faible bruit

 

Spécification :

Longueur d'onde de sensibilité maximale (typique)
800 nm
Plage de longueurs d'onde de sensibilité 400–1000 nm
Photosensibilité (typique) 0,5 A/W
Courant d'obscurité maximal 0,5 nA
Fréquence de coupure (typique) 1000 MHz
Capacité terminale typique 1 pF
Tension de claquage (typique) 150 V
Coefficient de température de la tension de claquage (typique) 0,65 V/°C
Facteur de multiplication (typique) 100

 

S12023-02-01 Opération à faible biais infrarouge de photodiode à avalanche de silicium

Produit Tag:

Capteur R9533 photoélectrique infrarouge,

Capteur de couleur de RVB,

Capteur de flamme d'UVTRON

Coordonnées
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Personne à contacter: Xu

Téléphone: 86+13352990255

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