LA CHINE Capteur photoélectrique infrarouge

• 

  Les photodiodes au silicium YJJ S8745-01 S8746-01 avec préamplificateur sont utilisées pour la mesure de faible lumière.

  RF intégré:1 gΩ et cf = 5 pf

  Surface émettante:× 2,4 2,4 millimètres

  Emballer:Métal

  Contactez
• 

  YJJ G12181-003A Photodiode PIN InGaAs non refroidie en boîtier peut être utilisée pour détecter les dimensions de diverses zones sensibles à la lumière. Photodiode PIN InGaAs non refroidie peut être utilisée pour détecter les dimensions de diverses zones sensibles à la lumière.

  Compte de pixel:1

  Emballer:Métal

  Catégorie de package:TO18

  Contactez
• 

  YJJ S2386-5K Équipement d'analyse Équipement de mesure optique Photodiodes japonaises

  Surface émettante:× 2,4 2,4 millimètres

  Emballer:Métal

  Type de package:To-5

  Contactez
• 

  YJJ S6967 S6967-01 Photodiode PIN en silicium, boîtier plastique SIP, pour la détection dans le spectre visible et le proche infrarouge

  Plage de réponse spectrale:320 à 1060 nm

  Longueur d'onde de sensibilité maximale:900 nm

  Photosensibilité:0,65 A / W

  Contactez
• 

  EMIRS200_AT01T_BR090 Source infrarouge thermique MEMS, boîtier TO39

  Taper:Infrarouge

  Température de fonctionnement:-40 ° C ~ 125 ° C

  Type de montage:Par le trou

  Contactez
• 

  YJJ S10227-10 Petit capteur d'image linéaire CMOS scellé en résine pour applications industrielles

  Pas de pixel:12,5 μm

  Hauteur de pixels:250 μm

  Débit de données du signal:maximum 5 MHz

  Contactez
• 

  YJJ S3072 La photodiode au silicium PIN est utilisée pour la détection de la lumière par impulsion à grande vitesse dans la transmission optique spatiale

  Light-emitting surface:3.0 mm

  Package:Metal

  Package category:TO-5

  Contactez
• 

  S6428-01 Photodiodes Si Capteur de couleur RVB Matériau plastique

  Secteur photosensible:20,8 × 2,4 mm

  Plage de réponse spectrale:400 à 540 Nm

  Courant sombre (max.):0.02 NA

  Contactez
• 

  S2386-18K Photodiodes Si pour la photométrie à usage général de haute sensibilité visible à proche IR

  Emballer:TO-18

  Tension inversée:30 V

  Température de fonctionnement:-40 à +100°C

  Contactez
• 

  S1337-1010BR Photodiode Si pour la photométrie de précision UV à IR Faible capacité

  Matériau de fenêtre:Pottes en résine

  Emballer:15 * 16,5 mm

  Photosensible est taille:10*10mm

  Contactez
• 

  Photodiode PN silicium planaire BPW21R, faible courant d'obscurité, boîtier TO-5

  Tension inversée:10 V

  Dissipation de puissance:300 mW

  LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:125°C

  Contactez
• 

  Photodiodes à broche de silicium S1336-8BK S1336-8BQ Haute sensibilité dans la bande ultraviolette

  côté récepteur de la lumière:5.8 × 5,8 mm

  Encapsulation:Métal

  Catégorie de colis:TO-8

  Contactez