LA CHINE Capteur photoélectrique infrarouge

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  S1336-44BQ épingle à photodiode de silicium basse capacité UV à NIR pour la photométrie de précision

  Zone sensible:3.6 × 3,6 mm

  Nombre de pixels:1

  Réfrigération et:Non refroidi

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  EMIRS200-AT01T-BR090 Source de lumière infrarouge portable à faible puissance pour analyseurs de gaz portables

  Plage spectrale:2 ~ 14 μm

  Longueur d'onde d'émission de pointe:9,6 μm (absorption de CO₂)

  Puissance rayonnante:33 MW (à 500 ° C)

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  S8745-01 Capteur photoélectrique infrarouge pour instruments d'analyse de précision et équipements de mesure industriels

  Type de package:To-5 Metal Package

  Matériau de fenêtre:Quartz

  Plage de réponse spectrale:190 ~ 1100 nm

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  G12181-003A Capteur photoélectrique infrarouge (photodiode PIN InGaAs) pour systèmes de communication optique

  Coefficient de température de sensibilité:1,08 fois / ℃

  Plage de températures de stockage:-55 ℃ - 125 ℃

  Plage de température de fonctionnement:-40 ℃ - 100 ℃

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  G12180-003A Capteur photoélectrique infrarouge (photodiode PIN InGaAs) pour les systèmes de surveillance laser

  Type de package:À - 18

  Secteur photosensible:φ0,3 mm

  Plage de réponse spectrale:00,9 à 1,7 μm

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  Les photodiodes au silicium YJJ S8745-01 S8746-01 avec préamplificateur sont utilisées pour la mesure de faible lumière.

  RF intégré:1 gΩ et cf = 5 pf

  Surface émettante:× 2,4 2,4 millimètres

  Emballer:Métal

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  YJJ G12181-003A Photodiode PIN InGaAs non refroidie en boîtier peut être utilisée pour détecter les dimensions de diverses zones sensibles à la lumière. Photodiode PIN InGaAs non refroidie peut être utilisée pour détecter les dimensions de diverses zones sensibles à la lumière.

  Compte de pixel:1

  Emballer:Métal

  Catégorie de package:TO18

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  YJJ S2386-5K Équipement d'analyse Équipement de mesure optique Photodiodes japonaises

  Surface émettante:× 2,4 2,4 millimètres

  Emballer:Métal

  Type de package:To-5

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  YJJ S6967 S6967-01 Photodiode PIN en silicium, boîtier plastique SIP, pour la détection dans le spectre visible et le proche infrarouge

  Plage de réponse spectrale:320 à 1060 nm

  Longueur d'onde de sensibilité maximale:900 nm

  Photosensibilité:0,65 A / W

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  EMIRS200_AT01T_BR090 Source infrarouge thermique MEMS, boîtier TO39

  Taper:Infrarouge

  Température de fonctionnement:-40 ° C ~ 125 ° C

  Type de montage:Par le trou

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  YJJ S10227-10 Petit capteur d'image linéaire CMOS scellé en résine pour applications industrielles

  Pas de pixel:12,5 μm

  Hauteur de pixels:250 μm

  Débit de données du signal:maximum 5 MHz

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  YJJ S3072 La photodiode au silicium PIN est utilisée pour la détection de la lumière par impulsion à grande vitesse dans la transmission optique spatiale

  Light-emitting surface:3.0 mm

  Package:Metal

  Package category:TO-5

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