LA CHINE Capteur photoélectrique infrarouge

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  S1336-44BQ épingle à photodiode de silicium basse capacité UV à NIR pour la photométrie de précision

  Zone sensible:3.6 × 3,6 mm

  Nombre de pixels:1

  Réfrigération et:Non refroidi

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  S12023-02 Capteur APD à photodiode avalanche pour instruments d'analyse de l'industrie des communications optiques

  Longueur d'onde de sensibilité maximale:800 Nm

  Plage de réponse spectrale:400 ~ 1 100 nm

  Tension inverse de fonctionnement:≤ 200 V

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  YJJ S1227-16BQ Photodiode au silicium à usage spécial pour la lumière visible (avec version fenêtre au quartz)

  Réception de la surface:5,9 × 1,1 mm

  Emballer:Céramique

  Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension.:5v

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  S12023-02 Opération à faible biais en infrarouge Si APD Réponse à grande vitesse

  Secteur photosensible:φ0,2 mm

  Emballer:Métal

  Catégorie de package:TO-18

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  G12180-003A Capteur photoélectrique infrarouge à élément unique non refroidi 1,55 μm Longueur d'onde maximale 0,5 NA

  Secteur photosensible:φ0,3 mm

  Longueur d'onde de sensibilité maximale (typique):10,55 μm

  Refroidissement:Non refroidi

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  G12180-003A Capteur photoélectrique infrarouge (photodiode PIN InGaAs) pour les systèmes de surveillance laser

  Type de colis:À - 18

  Secteur photosensible:φ0,3 mm

  Plage de réponse spectrale:00,9 à 1,7 μm

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  YJJ S5981 Photodiode au silicone PIN 10 × 10 mm pour la détection du proche infrarouge

  Fréquence de coupure:20 MHz (-3dB)

  Tension inverse:30 V

  Plage de température de fonctionnement:-40 ℃ ~ +85 ℃

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  YJJ G12183-003K Photodiode InGaAsPIN pour la détection optique à haute vitesse dans le proche infrarouge et l'infrarouge lointain

  Gamme spectrale:0,9 ~ 2,6 μm

  Longueur d'onde maximale:2,3 μm

  Taux de réponse (λp):1,0 ~ 1,3 A/E

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  EMIRS200-AT01T-BR090 Source de lumière infrarouge portable à faible puissance pour analyseurs de gaz portables

  Gamme spectrale:2 ~ 14 μm

  Longueur d'onde d'émission de pointe:9,6 μm (absorption de CO₂)

  Puissance rayonnante:33 MW (à 500 ° C)

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  G12183-003K Photodiode PIN à l'arséniure de gallium et d'indium (InGaAs) haute performance pour photomètres optiques et détection de puissance laser

  Type de colis:TO-18

  Type de montage:Traversant (3 broches)

  Nombre de broches:3 broches

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  S5981 4 photodiode à monture de surface à segment de silicium PIN pour les machines de traitement industriel et de précision

  Type de détecteur:Réseau de photodiodes Si PIN à 4 segments

  Gamme spectrale:320 ~ 1 100 nm

  Longueur d'onde maximale:960 nm (typ.)

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  Photométrie de précision UV à visible Sensitivité IR supprimée au silicium infrarouge PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

  Taille de la zone active:1,1 * 5,9

  Emballer:2,7 * 15

  Zones actives effectives:5.9

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