LA CHINE Capteur photoélectrique infrarouge

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  Photodiode Si S1336-44BQ UV à proche IR pour photométrie de précision TO-5

  Zone sensible:3.6 × 3,6 mm

  Nombre de pixels:1

  Réfrigération et:Non refroidi

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  YJJ LTH-1550-01 Capteur photoélectrique Commutateur photoélectrique Réflecteur Commutateur photoélectrique

  Courant direct de la LED si maximum:60mA

  Tension inverse LED Vr:5v

  LED chute avant Vf typique:1.2 V

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  YJJ S5990-01 détecteur bidimensionnel PSD sensible à la Position mesure de Position optique à Photodiode

  Détection de position:±70 μm (typique)

  Maximum:±150 μm

  Photocourant de saturation:500μA (VR = 5V, charge 1kΩ)

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  Détecteur pyroélectrique multicanal planaire LIM-252-GH, double canal, paquet TO 93

  Constante de temps thermique:Mme 100

  Taille d'ouverture:ø6,0 mm

  Densité de bruit:220 NV/√Hz

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  S12023-02 Capteur APD à photodiode avalanche pour instruments d'analyse de l'industrie des communications optiques

  Longueur d'onde de sensibilité maximale:800 Nm

  Plage de réponse spectrale:400 ~ 1 100 nm

  Tension inverse de fonctionnement:≤ 200 V

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  YJJ S1227-16BQ Photodiode au silicium à usage spécial pour la lumière visible (avec version fenêtre au quartz)

  Réception de la surface:5,9 × 1,1 mm

  Emballer:Céramique

  Le système de régulation de la tension doit être équipé d'un système de régulation de la tension.:5v

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  S12023-02 Opération à faible biais en infrarouge Si APD Réponse à grande vitesse

  Secteur photosensible:φ0,2 mm

  Emballer:Métal

  Catégorie de package:TO-18

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  G12180-003A Capteur photoélectrique infrarouge à élément unique non refroidi 1,55 μm Longueur d'onde maximale 0,5 NA

  Secteur photosensible:φ0,3 mm

  Longueur d'onde de sensibilité maximale (typique):10,55 μm

  Refroidissement:Non refroidi

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  G12180-003A Capteur photoélectrique infrarouge (photodiode PIN InGaAs) pour les systèmes de surveillance laser

  Type de colis:À - 18

  Secteur photosensible:φ0,3 mm

  Plage de réponse spectrale:00,9 à 1,7 μm

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  YJJ S5981 Photodiode au silicone PIN 10 × 10 mm pour la détection du proche infrarouge

  Fréquence de coupure:20 MHz (-3dB)

  Tension inverse:30 V

  Plage de température de fonctionnement:-40 ℃ ~ +85 ℃

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  YJJ G12183-003K Photodiode InGaAsPIN pour la détection optique à haute vitesse dans le proche infrarouge et l'infrarouge lointain

  Gamme spectrale:0,9 ~ 2,6 μm

  Longueur d'onde maximale:2,3 μm

  Taux de réponse (λp):1,0 ~ 1,3 A/E

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  EMIRS200-AT01T-BR090 Source de lumière infrarouge portable à faible puissance pour analyseurs de gaz portables

  Gamme spectrale:2 ~ 14 μm

  Longueur d'onde d'émission de pointe:9,6 μm (absorption de CO₂)

  Puissance rayonnante:33 MW (à 500 ° C)

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