LA CHINE Capteur photoélectrique infrarouge

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  S1336-44BQ épingle à photodiode de silicium basse capacité UV à NIR pour la photométrie de précision

  Zone sensible:3.6 × 3,6 mm

  Nombre de pixels:1

  Réfrigération et:Non refroidi

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  S5981 4 photodiode à monture de surface à segment de silicium PIN pour les machines de traitement industriel et de précision

  Type de détecteur:Réseau de photodiodes Si PIN à 4 segments

  Gamme spectrale:320 ~ 1 100 nm

  Longueur d'onde maximale:960 nm (typ.)

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  Photométrie de précision UV à visible Sensitivité IR supprimée au silicium infrarouge PhotoS1227-16BQ S1227-33BQ S1227-66BQ S1227-1010BQ

  Taille de la zone active:1,1 * 5,9

  Emballer:2,7 * 15

  Zones actives effectives:5.9

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  S2386-18L Photodiode Si pour la photométrie à usage général visible à proche IR

  Pakcage:TO-18

  Voltage inverse VR max:30V

  Température de fonctionnement:-40 à +100 ℃

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  JSIR350-4-AL-R-D6 NDIR Analyse des gaz Les sources de rayonnement infrarouge sur T039

  Le courant d'opération 2:Type 141mA

  Masse:~ 1G

  Résistant à la chaleur:40 ± 20Ω

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  Capteurs photodiode PIN InGaAs G12183-010K, type longue longueur d'onde, faible bruit

  Colling:D'une épaisseur n'excédant pas 1 mm

  Longueur d'onde de coupure:2.55 à 2.6 Um

  Température de fonctionnement:-40 à +85°C

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  L4643 10 W Lampes flash au xénon Électrodes à faible coût Longue durée de vie Verre borosilicate

  Durée de vie garantie *4:1 x 10°

  Taux de répétition maximal *1:100Hz

  Matériau du tube latéral:Verre borosilicaté

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  RPFA913CC Capteur de flamme pyroélectrique Effet pyroélectrique Mono-canal

  Taille de la fenêtre:5.0 * 5,0 mm

  Taille de l'élément sensible:3*3 mm

  Longueur d'onde du centre du filtre:3,8um

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  RDA226S-F Capteur infrarouge pyroélectrique numérique avec traitement de signal AD haute précision

  Tension:2,7 -3V

  Limite de broches:-100 à 100 mA

  Température de stockage:-40 à 125 °C

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  S14137-01CR Photosensor avec IC frontal compact à 16 éléments

  Nombre de sortie:16

  La hauteur de l'élément:0,5MM

  Surface photosensible (par élément):0.15 x 0,43 mm

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  S16429-01CT Photosensor avec IC avant intégré à l'APD stabilisé par gain

  Secteur photosensible:Diamètre 0,2 mm

  Tension inversée:0 à VBR

  Matériau d'étanchéité:Résine de silicone

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  S14645 Si APD haute vitesse Compact surface montée haute sensibilité avec fonctionnement à faible biais

  Température de stockage:-40 à +100°C

  Taille photosensible:0,2 mm

  Courant direct:10 mA

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