LA CHINE Capteur photoélectrique infrarouge

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  S12915-33R Capteur à photodiode de silicium pour photomètre général à faible courant sombre

  la réception de la taille extérieure est:2,4 × 2.4mm

  Secteur photosensible efficace:5,7 mm2

  la tension inverse maximum est:30 V

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  Photodiodes à broche de silicium S1336-8BK S1336-8BQ Haute sensibilité dans la bande ultraviolette

  côté récepteur de la lumière:5.8 × 5,8 mm

  Encapsulation:Métal

  Catégorie de colis:TO-8

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  La surface de réception des photodiodes InGaAs PIN: φ0,5 mm

  Réception de la surface:φ0,5 mm

  Nombre de pixels:1

  Le paquet:Métal

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  Les photodiodes à broche de silicium S1336-18BK S1336-18BQ à faible capacité

  côté récepteur de la lumière:1.1 × 1,1 mm

  Encapsulation:Métal

  Catégorie de colis:TO-18

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  Photodiodes à broche de silicium S1336-5BK S1336-5BQ Haute sensibilité dans la bande ultraviolette

  côté récepteur de la lumière:× 2,4 2,4 millimètres

  Encapsulation:Métal

  Catégorie de colis:TO-5

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  Photodiode à broche de silicium S1336-44BQ S1336-44BK Haute sensibilité dans la bande ultraviolette

  côté récepteur de la lumière:3.6 × 3,6 mm

  Encapsulation:Métal

  Catégorie de colis:TO-5

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  YJJ S4349 Matrice de photodiodes au silicium PIN à quatre pixels est utilisée pour l'alignement du faisceau laser

  Faible écho croisé: maximum:2%

  Large gamme de réponse spectrale:190 à 1000 Nm

  Réponse à grande vitesse:fc = 20 MHz - TO-5 dans le boîtier métallique

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  YJJ S6775-01 Silicon PIN Photodiode plastique SIP Package en ligne unique 5,5 × 4,8 mm Surface réceptrice

  Plastic package:7 × 7.8mm

  Receiving surface size:5.5 × 4.8mm

  Refrigeration:Uncooled type

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  YJJ S12053-02 APD au silicium Avalanche Photodiode à courte longueur d'onde type APD

  Plage de longueur d'onde de sensibilité:200 à 1000 nm

  Photosensibilité (valeur typique):0.42 A/W

  Courant sombre (max.):Na 5

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  YJJ S12060-02 Coefficient de basse température du silicium APD pour la bande de 800 nm dans l'encapsulation métallique et le paquet TO18

  Réception de la surface:φ0,2 mm

  Encapsulation:Métal

  Catégorie de colis:TO18

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  YJJ S1337-21 Photodiode de silicium La solution idéale pour la photométrie de précision dans les bandes UV à IR

  Receiving surface:18 × 18 mm

  Reverse voltage (Max.):5 V

  Sensitivity (typical value):0.52 A/W

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  Détermination photométrique de précision de la photodiode de silicium à faible capacité dans les bandes UV à NIR

  Package category:TO-5

  Refrigeration:Uncooled type

  Reverse voltage (Max.):5V

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